1. <p id="muup3"></p><acronym id="muup3"></acronym>

        <acronym id="muup3"></acronym>
      1. <object id="muup3"><strong id="muup3"></strong></object>

        專業的射頻毫米波太赫茲方案供應商咨詢熱線:0512-62657975
        首頁 | 新聞中心 | 市場活動
        半導體所低溫LT-GaAs材料成功應用于制備太赫茲天線

        太赫茲(THz)波通常是指頻率在0.1~10THz(波長介于微波與紅外波之間的0.03~3毫米范圍)的電磁波。太赫茲成像和波譜技術將是太赫茲應用的主要技術。太赫茲具有高頻和超短脈沖(皮秒量級)特性,使之具有很高的空間分辨率和時間分辨率。太赫茲能量很小,不會對物質產生破壞作用,所以比X射線技術更具優勢。此外,許多生物大分子的振動和轉動共振頻率也處在太赫茲波段。因此,開發太赫茲波技術將對寬帶通信、雷達探測、電子對抗、電磁武器、天文學、無標記基因檢查、細胞成像、無損檢測、生化物檢查、糧食選種,菌種優選等多領域的技術發展帶來深遠影響。

        近年來,半導體所超晶格實驗室的新型半導體光電材料和量子器件課題組開展了時域光譜太赫茲收發器件和材料研究,主要是半導體超短脈沖激光器和超短載流子壽命低溫GaAs收發天線器件。經過多年來的長期積累,該課題組開發成功超短壽命載流子、高阻(大于1E8 ohm.cm)低溫LT-GaAs材料。在此基礎上與中國工程物理研究院電子工程所合作研制出太赫茲LT-GaAs寬帶THz光導天線:采用頻率75KHz、脈寬100fs激光器進行激勵,得到譜寬0.1-2.7THz的THz波?;贚T-GaAs的太赫茲天線與普通半絕緣SI-GaAs材料相比,在同樣激勵條件下太赫茲頻譜帶寬增加近兩倍。外延LT-GaAs具有的超短載流子壽命特性使之成為適于制作THz光導天線理想材料體系。

        相比于目前已經得到廣泛應用的紅外波器件技術,太赫茲波光電器件性能還有待全面優化和提升。相信隨著寬帶高穩定性脈沖太赫茲源的迅速發展,會有效地推動太赫茲技術逐步走向應用。

         


        輸入聯系信息,索取產品樣冊

        亚洲人成网站18禁止中文字幕
        1. <p id="muup3"></p><acronym id="muup3"></acronym>

            <acronym id="muup3"></acronym>
          1. <object id="muup3"><strong id="muup3"></strong></object>